Компания Hynix разработала модуль памяти DDR 4

Компания Hynix разработала модуль памяти DDR 4 имеющий объем 128Гб

Компания Hynix объявила о разработке первого в мире модуля памяти DDR 4 объемом 128 Гб, который в 2 раза превышает мощность используемых модулей в настоящее время. Новый модуль памяти, имеющий самую высокую плотность записи, основан на 8 Gbit DDR 4 чипе, созданном на основе 20-нм процесса литографии, работает на 2133 Mbps с 64-bit I/O, и обрабатывает до 17 Гб данных в секунду. Кроме того он работает на ультранизком напряжении 1.2 вольта, по сравнению с напряжением 1.35 вольта в существующих модулях памяти DDR 3.
Крупнейшие производители электронных компонентов, компании Hynix и Samsung начали производство нового поколения модулей памяти DDR 4, хотя предполагалось, что подобные чипы появятся на рынке не ранее конца 2014 года. До тех пор, пока компании Intel и Advanced Micro Devices не разработают поддержку DDR 4 в выпускаемых процессорных платах, пользователи не смогут воспользоваться преимуществом разработанной технологии, которая повышает производительность и увеличивает вместимость базы в 2 раза и расходует меньше энергии от 20 до 40%, чем существующие чипы, используемые сегодня.
Intel планирует добиться поддержки модулей памяти DDR 4 на выпускаемых платах в течение 2015 года.
Модуль памяти объемом 128 Гб, компания Hynix планирует начать производить в начале 2015 года с использованием TSV технологии. TSV- это способ прохождения электрических соединений вертикально, с помощью кремневого кристалла и используется для создания трехмерной графики с накоплением интегральных схем.
По данным исследовательской фирмы Gurther рынок серверов DRAM будет расти ежегодно в среднем на 37% до 2018 года. Новый интерфейс DDR 4, будет сертифицирован в этом году (2015) и, с 2015 года будет наложено массовое производство.